مشاهده پست های بی پاسخ | مشاهده موضوعهای فعال تاریخ امروز 03 سپتامبر 2014, 09:03



پاسخ به موضوع  [ 6 پست ]  برو به صفحه 1, 2  بعدی
 Flash Memory حافظه فلش چیست و اصول و مبانی حافظه فلش 
نویسنده پیام
آواتار کاربر

عضو: 25 نوامبر 2007, 08:24
پست ها: 458
پست Flash Memory حافظه فلش چیست و اصول و مبانی حافظه فلش
حافظه هاي الکترونيکي در انواع گوناگون و براي مصارف مختلف ساخته شده اند . حافظه هاي فلش به دليل سرعت بالاي آنها در ثبت اطلاعات و همچنين استفاده فوق العاده آسان بسيار پر فروش و پر طرف دار مي باشند . از اين رو در دوربين هاي ديجيتالي ، تلفن همراه و ساير دستگاه ها شاهد استفاده روز افزون از آنها هستيم .
ضمیمه:
2rf8niq.jpg


شيوه ذخيره اطلاعات در اين نوع از حافظه بسيار شبيه به ذخيره اطلاعات در RAM مي باشد . در حقيقت حافظه هاي فلش در نحوه فعاليت مشابه يک منبع ذخيره اطلاعات ثابت عمل مي کند . به اين معني که در آنها هيچ قطعه متحرکي به کار نرفته و تمام کارها توسط مدارات الکترونيکي انجام مي شود . در مقابل درون ديسک هاي سخت چندين قسمت متحرک وجود دارد که اين وضع خود آسيب پذير بودن اين گونه حافظه را نسبت به حافظه هاي فلش نشان مي دهد .
قطعاتي از قبيل تراشه هاي BIOS ، حافظه هاي فلش متراکم شده که در دوربين هاي ديجيتالي به کار مي روند ، حافظه هاي هوشمند ، Memory Stick و کارت هاي حافظه که در کنسول هاي بازي به کار مي روند همه و همه از اين نوع حافظه استفاده مي کنند .
ضمیمه:
55jajk.jpg

در اين قسمت به فن آوري و زير ساخت اين نوع حافظه نگاهي کوتاه داريم . حافظه هاي فلش از تراشه هاي EEPROM ساخته شده اند . همان طور که در مقالات قبلي ذکر شد در اين گونه از حافظه ها ذخيره و حذف اطلاعات توسط جريان هاي الکتريکي صورت مي پذيرد . اين گونه تراشه ها داخل سطر ها و ستون هاي مختلف شبکه اي منظم را پديد مي آورند . در اين شبکه هر بخش کوچک داراي شماره سطر و ستون مختص به خود بوده و در اصطلاح هر کدام از اين بخش ها يک سلول حافظه ناميده مي شود . هر کدام از اين سلول ها ازتعدادي ترانزيستور ساخته شده و هر کدام از اين سلول ها توسط لايه هاي اکسيد از ديگر سلول ها جدا مي باشد . درداخل اين سلول ها دو ترانزيستور معروف با نام هاي Floating gate و Control gate استفاده مي شود . Floating gate به خط ارتباطي سطر ها متصل بوده و تا زماني که ارتباط بين اين دو ترانزيستور برقرار باشد ، اين سلول داراي ارزش ١ مي باشد . اين سلول ها مي توانند داراي ارزش ١ و يا ٪ باشند .

Tunneling :
اين روش براي تغيير دادن مکان الکترون هاي ايجاد شده در Floating gate بکار مي رود . اغلب سيگنال هاي شارژ الکترونيکي بين ١٪ تا ١٣ ولت مي باشند که اين ميزان توسط Floating gate استفاده مي شود . در زمان Tunneling اين ميزان توسط ستون ها از Floating gate گذشته و به زمين منتقل مي شود . اين سيگنال باعث مي شود که اين ترانزيستور مشابه يک تفنگ الکتروني وارد عمل شود . اين تفنگ الکتروني ، الکترون ها به خارج لايه اکسيد شده رانده و بدين ترتيب باعث از بين رفتن آنها مي شود .
در اينجا واحد مخصوصي به نام حسگر سلول وارد عمل شده و عمل Tunneling همراه با مقدارش را ثبت مي کند . اگر مقدار اين سيگنال که از ميان دو ترانزيستور مي گذرد کمتر از نصف آستانه حساسيت حسگر باشد ، براي آن سلول در ارزش گذاري رقم ٪ ثبت مي شود . ذکر اين نکته ضروري است که اين سلول ها در حالت عادي داراي ارزش ١ هستند .
با اين توضيحات ممکن است فکر کنيد که درون راديو خودروي شما يک حافظه فلش قراردارد . درست حدس زديد ، اطلاعات ايستگاه هاي راديوئي مورد علاقه شما در نوعي حافظه به اسم Flash ROM ذخيره مي شود . البته نحوه ثبت و نگهداري اطلاعات در اين نوع حافظه به کلي با Flash memory فرق مي کند . اين نوع حافظه براي نگهداري اطلاعات به يک منبع الکتريسيته خارجي احتياج دارد . در صورتي که حافظه هاي فلش بدون نياز به منبع خارجي اطلاعات را ثبت و ضبط مي کنند .
زماني که شما اتومبيل خود را خاموش مي کنيد جريان بسيار کمي به سمت اين حافظه در جريان است و همين جريان بسيار کم براي حفظ اطلاعات شما کافي مي باشد . ولي با تمام شدن باتري خودرو و يا جدا کردن سيم برق کليه اطلاعات ثبت شده از بين مي رود .

امروزه اين فن آوري ، آنقدر سريع توسعه مي يابد که تا چند سال ديگر قادر به ذخيره اطلاعات معادل ٤٪ گيگا بايت در فضائي به اندازه يک سانتي متر مربع هستيم . هم اکنون نيز اين حافظه ها در ابعاد بسيار کوچک در ظرفيت هاي گوناگون در دسترس همه قرار دارد .


برای مشاهده تصاویر و دانلود فایل های ضمیمه ، لازم است در سایت ثبت نام کرده و با نام کاربری خود وارد شوید. در حال حاضر ثبت نام در سایت رایگان است.


26 ژانویه 2008, 11:33
مشخصات شخصی

عضو: 10 فوریه 2008, 01:33
پست ها: 4
پست Re: Flash Memory حافظه فلش چیست؟
حافظه flash چيست ؟
حافظه های الکترونیکی درانواع گوناگون و برای مصارف مختلف ساخته شده اند . حافظه های فلش به دلیل سرعت بالای آنها در ثبت اطلاعات و همچنین استفاده فوق العاده آسان بسیار پر فروش و پر طرف دار می باشند . از این رو در دوربین های دیجیتالی ، تلفن همراه و سایر دستگاه ها شاهد استفاده روز افزون از آنها هستیم .
شیوه ذخیره اطلاعات در این نوع از حافظه بسیار شبیه به ذخیره اطلاعات در RAM می باشد . در حقیقت حافظه های فلش در نحوه فعالیت مشابه یک منبع ذخیره اطلاعات ثابت عمل می کند . به این معنی که در آنها هیچ قطعه متحرکی به کار نرفته و تمام کارها توسط مدارات الکترونیکی انجام می شود . در مقابل درون دیسک های سخت چندین قسمت متحرک وجود دارد که این وضع خود آسیب پذیر بودن این گونه حافظه را نسبت به حافظه های فلش نشان می دهد .
در تجهيزات زير از حافظه فلش استفاده مي شود :
• تراشه BIOS موجود در كامپيوتر
• CompactFlash كه در دوربين هاي ديجيتال استفاده مي شود
• SmartMedia كه اغلب در دوربين هاي ديجيتال استفاده مي شود
• Memory Stick كه اغلب در دوربين هاي ديجيتال استفاده مي شود
• كارت هاي حافظه PCMCIS نوع I و II
• كارت ها حافظه براي كنسول هاي بازي هاي ويدئويي

اصول و مباني
تونل زنی الکترون

فرآيند تونل زدن يك پديده‌ی مكانيكي- كوانتومی است كه يك الكترون می‌تواند از ميان سد انرژی بزرگتر از انرژی جنبشی خود عبور كند.
اگر ساختاری ايجاد شود كه متشكل از 2 فلز مشابه باشد و اين 2 فلز توسط يك ماده‌ی عايق نازك جدا شوند، تحت شرايط معينی الكترون می‌تواند از یك فلز به دیگر انتقال یابد. تونل زدن الكترون، از يك طرف به طرف ديگر آن در صورتی انجام می‌شود كه حالت‌های الكترونی اشغال نشده در طرف ديگر وجود داشته باشد.
فيلم‌های اكسيدی بسيار نازك با رشد خود به خودی برای ايجاد اتصالات تونلی الكترونی مورد توجه می‌باشند كه به لايه‌ی عايق با ضخامتی حدود 2-1 نانومتر احتياج دارند. اين دسته از طريق رسوب‌دهی فلزاتی كه به آسانی قابل اكسيد شدن می‌باشند، ايجاد می‌شوند.
حافظه‌ای با دانسيته بيش از 30 گيگا بيت بر اينچ مربع، تقريباً 5 گيگا بيت بر سانتيمتر مربع می توان با ساختارهای كبالت با ابعاد 75*25 نانومتر ايجاد كرد.

ضمیمه:
oqf5zr.gif

ضمیمه:
5w3uv_th.gif

ضمیمه:
2dcbj2g.gif


برای مشاهده تصاویر و دانلود فایل های ضمیمه ، لازم است در سایت ثبت نام کرده و با نام کاربری خود وارد شوید. در حال حاضر ثبت نام در سایت رایگان است.


10 فوریه 2008, 12:10
مشخصات شخصی

عضو: 10 فوریه 2008, 01:33
پست ها: 4
پست Re: Flash Memory حافظه فلش چیست؟
پرش الکترون داغ
اگر الکترونی به حد کافی انرژی بگيرد می تواند از يک تراز انرژی پايين تر به تراز انرژی بالاتر جهش نمايد.هر چه اختلاف انرژی تراز اوليه و نهايي بيشتر باشد ، بايد انرژی بيشتری به الکترون داده شود.
تعبير اين انرژی در خارج از نظريه حالت جامد، انرژی جنبشی الکترون می تواند باشد. به چنين الکترونی، الکترون داغ می گويند.
در تراشه ها ی نوين، برای ذخيره اطلاعات به صورت مستقلِ از منابع انرژی ، از به دام انداختن الکترون ها در يک قطعه فلزی که پوشيده شده از مواد عايق است، استفاده می شود. به همين دليل است که براي پاک کردن اطلاعات نياز به رهاندن الکترون ها دارد.
برای تامين انرژی جهش الکترون ، می توان از امواج پر انرژی ماوراء بنفش استفاده کرد.
در تراشه های EPROM از همين شيوه برای پاک کردن تراشه از اطلاعات استفاده می شد.چنانکه سطوحی فلزي بر سطح تراشه نقش جاذب امواج را بازی ميکرد، به همين دليل گاهاً از اين روش به برنامه ريزی نوری تعبير می شود.
اما با پيشرفت تکنولوژی، پژوهشگران توانستند تراشه ها را به صورت الکترونيکی از اطلاعات پاک کنند. يعنی انرژی لازم برای جهش الکترون را از طريق ايجاد ميدان الکتريکی ،در مسير جهش، ايجاد کنند.اين امر سبب توسعه تراشه هايي با عنوان EEPROM گشت.
شيوه اخير در به دام انداختن الکترون ها در تراشه های نوع NOR از حافظه های فلش استفاده می شود و از آن تعبير به "تزريق الکترون های داغ"می شود. برای رهاندن الکترون ها نيز از شيوه تونل زنی استفاده می شود.

پيوند گاه p-n
مطابق نظريه حالت جامد، اگر مقداری اندک ناخالصیِ فلزی، به شبکه بلورِ يک نيمه رسانا اضافه شود، رسانايي شبکه دستخوش تغيير می گردد.
در نظريه حالت جامد از ترازهای انرژی کوانتيده برای توصيف الکترون های يک ماده استفاده می کنند.ترازی که دارای بيشترين انرژی است را تراز ظرفيت می نامند.اگر جامد مورد بحث رسانا باشد به اين تراز، تراز رسانش گفته می شود.
به تراز های خالی از الکترون که در ميان انبوهی از تراز های پر قرار گرفته اند حفره می گويند. چون حفره ها نبود الکترون با بار منفی را گوشزد می کنند لذا به آنها حامل بار نوع p که از اول عبارت positive گرفته شده است، می گويند.
الکترون های لايه رسانش و حفره های لايه قبل از رسانش نقش رسانندگی را در مواد نيمه هادی بازي می کنند.
بسته به اين که اتم آلاينده در آخرين تراز اتمي خود تعداد بيشتر يا کمتری الکترون نسبت به آخرين تراز اتم نيمه رسانا داشته باشد به بلور حاصل ، نيمه رسانای نوع n (دارای تعداد بار منفی بيشتر والکترون آزاد بيشتر در شبکه بلور)و نيمه رسانای نوع p (دارای الکترون کمتر و دارای حفره های بيشتر) می گويند.
اگر يک نيمه رسانای نوع n را به نيمه رسانای نوع p اتصال موضعی دهيم، در محل اتصال حامل های نوع p متعلق به نيمه رسانای نوع p با الکترون های آزاد نيمه رسانای نوع n ترکيب شده و خنثی می گردند(نابود می شوند، يعنی حفره توسط الکترون پر شده و الکترون نيز مقيد مي شود.) البته اين اتفاق فقط در محل پيوندگاه رخ می دهد و سبب ايجاد ناحيه ای موسوم به تهی ميان 2 قطعه می شود. اين ناحيه نارساناست. لذا جلوی ترکيب شده ما بقی حامل های طرفين را می گيرد.
حال اگر به منحنی انرژی-مکان در محل پيوندگاه نظر بيفکنيم، می بينيم يک شيب پتانسيل پديدآمده است که معادل همان ناحيه تهی است. لذا اگر ميدانی الکتريکی در 2 قطعه ايجاد کنيم به نحوی که به تضعيف اين شيب پتانسيل بپردازد، آنگاه عرض ناحيه تهی کمتر و کمتر می شود و در نهايت رسانش ميان 2 قطعه برقرار می شود.دقت شود که به علت ميدان الکتريکی، جهت حرکت حامل های با بار متفاوت، متفاوت خواهد بود، لذاست که از ترکيب مجدد آنها جلوگيری به عمل مي آيد.
جهت ميدان الکتريکی ياد شده بايد از قطعه p به قطعه n باشد تا در سمت p پتانسيل بيشتر از سمت n اعمال شود. لذا اختلاف پتانسيل 2 سطح به صفر ميل می کند و پيوندگاه رسانا می شود. پيوندگاه تنها جريان را از يک سو عبور می دهد . به اين سو پيش ولت موافق می گويند.

ضمیمه:
2ly0v2u.gif


ضمیمه:
2yjstvn.gif


ترانزيستورهای اثر ميدان
اساس کار حافظه های فلش ترانزيستورهايي هستند که تغيير شکل يافته ترانزيستورهای"فلزاکسيد-نيمه هادی مبتنی بر اثر ميدان می باشند.
ترانزيستورهای اخير، از 3 قطعه نيمه هادی که 2 قطعه آن هم نوع هستند تشکيل شده است. در اينجا به توضيح طرز کار نوع npn که در ساختمان حافظه های فلش از تغيير شکل يافته آن استفاده شده است می پردازيم.
MOS کانال n مطابق شکل متشکل از قطعه بدنه ای است که از ماده سيليکان نوع p با ناخالصی کم می باشد. دو ناحيه ای که ناخالصی n آنها بالا است سورس و درين(ورودی و خروجی کليد الکترونيکی که ترانزيستور آن را تشکيل داده است) را تشکيل می دهد.ناحيه بين 2 بخش نوع n -که از نوع p است- نقش کانال انتقال جريان را به عهده دارد.
گيت-دروازه- کنترل ترانزيستور-که اعمال ولتاژ خاصی به آن سبب باز و بسته شدن کليد الکتريکی می شود- صفحه ای فلزی است که توسط يک دی الکتريک از جنس دی اکسيد سيليکان از کانال (ناحيه p ) جدا شده است.
يک ولتاژ مثبت(نسبت به بدنه ) در گيت کنترل موجب القاء ميدان الکتريکی در کانال شده و حامل های نوع n (الکترون ها) را جذب می نمايد. با افزايش ولتاژ مثبت در گيت ، ناحيه زير گيت الکترون های بيشتری را در خود جای داده و هدايت افزايش می يابد و جريان از سورس به درين جاری شده و افت ولتاژ بين اين 2 پايانه به وجود می آيد.در واقع ميدان الکتريکی مورد نياز برای از بين بردن ناحيه تهی را القای الکتريکی ايجاد می کند.

ضمیمه:
bwimf.gif



ساختار سلول های حافظه فلش
حافظه های فلش از تراشه های EEPROM ساخته شده اند . در این گونه از حافظه ها ذخیره و حذف اطلاعات توسط جریان های الکتریکی صورت می پذیرد . این گونه تراشه ها داخل سطر ها و ستون های مختلف شبکه ای منظم را پدید می آورند . در این شبکه هر بخش کوچک دارای شماره سطر و ستون مختص به خود بوده و در اصطلاح هر کدام از این بخش ها یک سلول حافظه نامیده می شود .
هر تراشه حافظه فلش از واحد هايي به نام بلاک ساخته شده است. هر بلاک خود از واحدهای کوچکتری به نام سلول ساخته شده است.
هر بلاک 64 يا 128 يا 512 سلول را دارا می باشد. هر سلول از يک ترانزيستور تغيير شکل يافته MOSFET تشکيل شده است .
ترانزيستورهای سلول دارای 2 گيت می باشند. يکی همان گيت کنترل و ديگری گيت معلق . علت اين نام گذاری آن است که اين گيت از اطراف توسط دی اکسيد سيليکان پوشيده شده و کاملا از محيط اطراف ايزوله است.
اگر گيت معلق خالی از الکترون باشد، با تحريک گيت کنترل، ترانزيستور جريان را از خود عبور می دهد. اما اگر به نحوی گيت معلق بار منفی گرفته باشد، ميدانِ گيتِ معلق اثر ميدانِ گيتِ کنترل بر کانال n را خنثی کرده و جريان خروجی از ترانزيستور کمتر از جريان ورودی به آن خواهد بود.
اما اگر گيت معلق باردار شود به علت ايزوله بودن از محيط اطراف، تا ساليان سال بار الکتريکی را در خود نگه داری می کند. مگر آنکه شرايط تونل زنی برای الکترون های به دام افتاده در آن فراهم شود. به همين دليل است که سلول را با به دام انداختن الکترون ها می توان برنامه ريزی کرد و از آن به عنوان حافظه مستقل از انرژی الکتريکی که ثبات چندين ساله هم خواهد داشت، استفاده کرد.
اما برای به دام انداختن الکترون ها می توان هم از شيوه جهش الکترون داغ استفاده کرد و هم از تونل زنی الکترونی. شيوه جهش در فلش های نوع NOR و شيوه تونل زنی در فلش های نوع NAND استفاده می شود.
ليکن برای رهاندن الکترون ها از گيت معلق و پاک کردن سلول، هم در نوعNAND و هم NOR تنها مي توان از شيوه تونل زنی استفاده کرد. زيرا الکترون های گيت معلق کاملاً از محيط ايزوله اند و امکان انرژی دادن به مقدار زياد آنها ممکن نيست. لذا با کاهش انرژی الکترون های موجود در درين -از طريق اتصال آنها به ولتاژ مثبت- شرايط را برای تونل زدن الکترون ها از گيت معلق به درين فراهم می کنيم.
اگر گيت معلق باردار نشده باشد، سلول جريان را به صورت کامل از خود عبور می دهد. لذاست که سلول ها به صورت پيش فرض(بدون برنامه ريزی) مقدار 1 را دارا می باشند.
پس از برنامه ريزی و قرارگرفتن الکترون ها روی گيت معلق، سلول جريان را کامل از خود عبور نمی دهد و مقدار منطقی سلول برابر 0 می شود. لذا پاک کردن برنامه سلول، هم ارز است با تغيير مقدار آن به 1.در زير نوع جريان هر پايانه برای سلول های نوع NOR نمايانده شده است.
مطابق تصوير ضخامت لايه عايق در حدود 20 نانومتر است.

تصویر


برای مشاهده تصاویر و دانلود فایل های ضمیمه ، لازم است در سایت ثبت نام کرده و با نام کاربری خود وارد شوید. در حال حاضر ثبت نام در سایت رایگان است.


10 فوریه 2008, 12:23
مشخصات شخصی

عضو: 10 فوریه 2008, 01:33
پست ها: 4
پست Re: Flash Memory حافظه فلش چیست؟
انواع حافظه هاي فلش

حافظه های نوع NOR
اولين حافظه های فلش كه ابداع شده بودند، ساختار داخلی آنها به شرح زير است. به هريک از سلول ها 2 سيم وارد می شود. يکی خط کلمه و ديگری خط بيت . به ازای هر بيت خط بيت مخصوص به آن وجود دارد. لذاست که به هر سلول حافظه امکان دسترسی اختصاصی وجود دارد. لذاست که اين نوع از حافظه های فلش دارای دسترسی تصادفی می باشند. به همين دليل برای ذخيره برنامه های اجرايي و" سيستم عامل های اجرا در محل" مانند سيستم های سوار بر موبايل و کنسول بازی مناسب است.
البته اختصاص خط خاص به هر بيت سبب اشغال سطح چيپ و گران شدن توليد نيز می گردد. ولی به دليل دسترسی سريع به هر بيت سرعت خواندن در اين نوع از حافظه بسيار بالاست. به سيم کشی داخلی اين ساختار توجه فرماييد:

ضمیمه:
20qhlx5.gif


حافظه های نوع NAND
اين حافظه ها برعکس نوع NOR فاقد سيم کشی اختصاصی برای هر بيت می باشند و مجموعه ای از سلول ها دارای سيم کشي سري می باشند. لذاست که برای خواندن اطلاعات بايد ابتدا روی يک سری از تپ های دريافتی از هر رشته، پردازش سيگنال انجام داد و سپس اطلاعات را خواند. به همين دليل دسترسی اين نوع حافظه از نوع ترتيبی است. هرچند که با روش های نرم افزاری می توان دسترسی تصادفی را روی آن اجرا کرد ليکن به علت کاهش سرعت عملا از اين نوع حافظه برای سيستم عامل های اجرا در محل و برنامه های اجرايي استفاده نمي شود و از آن برای ذخيره اطلاعات ترتيبی مانند عکس و موسيقی استفاده می شود. در زير مقايسه ای ميان اين 2 نوع از حافظه را می بينيم.

ضمیمه:
es2t7l.gif


ضمیمه:
s4tieg.gif


مزاياي حافظه فلش
استفاده از حافظه فلش نسبت به هارد داراي مزاياي زير است :
• حافظه فلش نويز پذير نمي باشند
• سرعت دستيابي به حافظه هاي فلش بالا است
• حافظه هاي فلش داراي اندازه كوچك هستند
• حافظه فلش داراي عناصر قابل حركت (نظير هارد) نمي باشند
ولي قيمت حافظه هاي فلش نسبت به هارد بيشتر است .


برای مشاهده تصاویر و دانلود فایل های ضمیمه ، لازم است در سایت ثبت نام کرده و با نام کاربری خود وارد شوید. در حال حاضر ثبت نام در سایت رایگان است.


10 فوریه 2008, 12:36
مشخصات شخصی

عضو: 10 فوریه 2008, 01:33
پست ها: 4
پست Re: Flash Memory حافظه فلش چیست؟
نرم افزار مديريت حافظه هاي فلش

با ارزان شدن قیمت حافظه های فلش استفاده از این حافظه ها در بین کاربران افزایش یافته است، این حافظه ها به صورت های مختلفی مثل کارت های حافظه، کول دیسک، حافظه های داخلي Mp3 Player ها و ... مورد استفاده قرار میگیرد، که کاربرد های مختلفی در بین کاربران پیدا کرده است که مهمترین قابلیت این حافظه های حجم مناسب آنها جهت انتقال اطلاعات میباشد و که فضای بین فلاپی دیسک و سی دی را پر کرده اند و جانشین مناسبی برای این گونه رسانه ها شده اند. بسیاری از کاربران اطلاعات شخصی و فایل های دیجیتالی مورد نیاز خود را بر روی این حافظه ها ذخیره میکنند تا بتوانند آن ها را همیشه همراه خود داشته باشند و در صورت نیاز به آنها دسترسی داشته باشند.
Carry it EasyTM نام ابزاری برای مدیریت انتقال اطلاعات بین کامپیوتر و حافظه های فلش است، Carry it Easy کمک میکند تنها با چند کلیک بتوان اطلاعات شخصی و ضروری خود را همیشه همراه داشته باشیم. به راحتی لیست Favorites اینترنت اکسپلورر را بر روی حافظه فلش خود کپی مي كنيم و از آن در محیط های عمومی مثل کافی نت ها استفاده مي كنيم همچنین مي توانيم بدون آنکه ردپایی در سیستم بماند با آسودگی مرور وب بپردازیم، اطلاعات ایمیل و دفترچه تلفن خود را همراه داشته باشيم و هر جا لازم شد بتوانیم ایمیل خود را چک کنم. همچنین این ابزار به این امکان را میدهد تا بر روی کل اطلاعات خود کلمه عبور (Password) قرار دهیم تا در صورت مفقود و یا سرقت USB درایو، افراد ناشناس نتوانند به اطلاعات شخصی دسترسی داشته باشند و تنها به آدرس و شما تلفن دسترسی داشته باشند و به این ترتیب بتوانند آن را بازگردانند. این برنامه حجم کمی دارد و نیازی به نصب نیز ندارد.
برخی از ویژگیهای این ابزار مفید عبارتند از:
- نسخه ی پرتابل Microsoft Outlook Express برای به همراه داشتن ایمیل ها و دفترچه تلفن
- قابلیت همگاه سازی (synchronization) لینک های Favorites مرورگر اینترنت اکسپلورر و فایرفاکس
- پاک کردن ردپا در مرورگر اینترنت اکسپلورر و فایر فاکس
- قابلیت همگاه سازی پوشه های Desktop، My Do و یا هر پوشه دلخواه دیگر
- فشرده سازی اطلاعات بر روی حافظه به منظور افزایش فضا
- قرار دادن پسورد بر روی کل حافظه برای افزایش ضریب امنیت
- پارتیشن بندی حافظه به فضای عمومی و شخصی
- قابلیت قرار دادن اطلاعات تماس روی حافظه به منظور یافتن صاحب حافظه در مواقعی که USB داریو مفقود میشود!
- چند زبانه بودن و پشتیبانی از 14 زبان مختلف


جلوگيري از انتقال اطلاعات به حافظه فلش
تا پیش از این راه های انتقال اطلاعات به شکل سخت افزاری تنها از طریق فلاپی ها و نهایتاً CD ها صورت میگرفت. اما با پیشرفت تکنولوژی ، امروز حافظه های فلش USB (کول دیسک) ، به این موضوع تاحدودی موجبات نگرانی مدیران شبکه را به علت عدم امنیت داده های موجود روی سیستم ها فراهم آورده است. به نوعی که هر فرد میتواند با وصل کردن فلش خود به USB به راحتی اطلاعات موجود روی هارد سیستم را منتقل کند. برای حفظ امنیت اطلاعات ، بسیاری در پی یافتن راهی برای جلوگیری از انتقال اطلاعات به داخل فلش دیسک ها هستند. در این ترفند قصد داریم روشی را به سادگی و از طریق رجیستری ویندوز معرفی کنیم که با بهره گیری از آن میتوانید کپی یا انتقال اطلاعات به داخل فلش دیسک های وصل شده به USB را کاملأ غیر ممکن كرد.
بدین منظور :
از منوی Start وارد Run شده و در آن عبارت regedit را وارد نموده و Enter بزنید تا ویرایشگر رجیستری باز گردد.
به مسیر زیر بروید :
HKEY_LOCAL_MACHINE/SYSTEM/CurrentControlSet/Control

حال روی کلید Control راست کلیک نموده و از New روی Key کلیک کنید. نام کلید جدید را StorageDevicePolicies قرار دهید .
اکنون این بار روی کلید StorageDevicePolicies راست کلیک کنید و از منوی New روی DWORD Value کلیک کنید. نام مقدار جدید ساخته شده را writeProtect قرار دهید .
حال روی writeProtect راست کلیک کنید و Modify را انتخاب نمایید.
در قسمت Value Data عدد 0 را به 1 تغییر دهید و سپس OK کنید.
کار تمام است ، اکنون رجیستری را ببندید و سیستم را رستارت کنید.
از این پس اگر بخواهیم اطلاعاتی را به یک حافظه فلش یا هر نوع حافظه همراه مانند Mp3 player ها منتقل کنید با پیغام خطا خواهیم شد.
لازم به ذکر است برای بازگشت به حالت قبلی کافی است عدد 1 را مجدد به 0 تغییر دهید.
این ترفند تنها روی ویندوز XP سرویس پک 2 قابل انجام است.


10 فوریه 2008, 12:40
مشخصات شخصی
مشاهده پست های قبلی:  نمایش بر اساس  
پاسخ به موضوع   [ 6 پست ]  برو به صفحه 1, 2  بعدی

افراد آنلاین

کاربران حاضر در این تالار: - و 3 مهمان


شما نمی توانید در این تالار موضوع جدید باز کنید
شما نمی توانید در این تالار به موضوع ها پاسخ دهید
شما نمی توانید در این تالار پست های خود را ویرایش کنید
شما نمی توانید در این تالار پست های خود را حذف کنید
شما نمی توانید در این تالار ضمیمه ارسال کنید

جستجو برای:
پرش به:  

استفاده و نقل از مباحث سایت، فقط با ذکر منبع و لینک سایت میکرورایانه مجاز است.
Copyright © 2006 - 2010 MicroRayaneh - Powered by phpBB © phpBB Group
Valid CSS2 Valid XHTML 1.0
طراحی سایت : میکرو رایانه